产品世界
产品系列完备，打通粗碎、中碎、细碎和超细碎作业
VSI家族与VU骨料优化系统共担精品机制砂制备重任
碳化硅破碎率
2023-05-18T12:05:47+00:00
第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎
2021年6月11日 国内位于厦门的瀚天天成电子科技有限公司和位于东莞的天域半导体科技有限公司等生产厂家目前已能大规模生产 4 英寸和 6 英寸的 SiC 外延片。 SiC 器件： SiC 5 天之前 基于碳化硅的半导体具有更高的热导率、更高的电子迁移率和更低的功率损耗。碳化硅二极管和晶体管还可以在更高的频率和温度下工作，而不会影响可靠性。SiC 器件 半导体碳化硅（SIC）深入认知的详解； 知乎
碳化硅的性能百度文库
碳化硅的性能百度文库 碳化硅的性能 ②碳化硅粉末的合成方法 合成碳化硅粉末的方法主要有固相法、液相法和气相法三种。 固相法是通过二氧化硅和碳发生碳热还原反应或硅粉 2023年10月30日 碳化硅原材料核心优势体现在： （1）耐高压：更低的阻抗、更宽的禁带宽度，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率； （2）耐高 碳化硅（SIC）的长处和难点详解； 知乎
碳化硅基板是陶瓷的是不是容易碎啊？ 知乎
2021年1月21日 碳化硅基板是陶瓷的是不是容易碎啊？ 知乎 碳化硅基板是陶瓷的是不是容易碎啊？ 陶瓷 陶瓷行业 碳化硅 碳化硅基板是陶瓷的是不是容易碎啊？ 关注者 10 被浏 1碳化硅加工工艺流程 1、典型 01mm 产品： 首先，原料由 颚式破 碎机进行初步破碎，然后，产成的粗料由皮带输送 机输送至 对辊破 碎机进行进一步破碎，细碎后的原料进入球 1碳化硅加工工艺流程 百度文库
碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备
2023年4月26日 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能 11 半导体材料更迭四代，宽禁带材料突破瓶颈 在高性能和低能耗半导体器件驱动下，半导体材料经历四次更迭。 半导 体材料是制造半导体器件和集成电路 2022年10月9日 碳化硅、 氮化镓材料的饱和电子漂移速率分别是硅的 20、25 倍，因此碳化硅、氮化镓器 件的工作频率大于传统的硅器件。 然而，氮化镓材料存在耐热性能较差的缺点，而 碳化硅的耐热性和导热性都较 碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领行
碳化硅行业研究：SiC成本逐步下降，行业有望迎来爆发拐点
2022年8月15日 切磨抛加工能力。由于 SiC 材料硬度大，所以在切磨抛中容易破碎，造 成良率损失或者更长的加工时间。衬底良率一般体现单个半导体级晶棒 经切片加工后产出合格衬底的占比。天岳先进 2020年衬底良率在 70%， 反映晶棒到衬底环节仍有一定损失。2023年10月27日 碳化硅生长速度缓慢，良率 与国外龙头存在较大差距。碳化硅晶体结构类型众多，但仅少数几种晶体结构的碳化硅为衬底所需材料，杂质控制难度高。在晶体生长过程中，需精确控制硅碳比、生长温度梯度、晶体生长速度以及气流气压等参数 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关
碳化硅衬底切割行业分析报告：8英寸碳化硅衬底的历史机遇
半绝缘型碳化硅衬底的电阻率高于 105Ωcm，生 成氮化镓外延片制成射频器件之后应用于 5G 通讯、国防等领域。 海外厂商在碳化硅功率器件领域市占率较高。受下游新能源汽车和光伏 等领域的需求拉动，碳化硅功率器件的市场将迅速拓展。2019年9月5日 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有11eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。 第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓拥有14电子伏特的禁带宽度以及比硅高五倍的电子 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎
【SiC 碳化硅加工工艺流程】 知乎
2023年1月17日 碳化硅晶片是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT） 生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片。 ①原料合成。 将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，在 2,000℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒。 再经过破碎、清洗等工 2021年11月7日 智东西 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。 受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等 揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
1碳化硅加工工艺流程 百度文库
1碳化硅加工工艺流程 1、典型 01mm 产品： 首先，原料由 颚式破 碎机进行初步破碎，然后，产成的粗料由皮带输送 机输送至 对辊破 碎机进行进一步破碎，细碎后的原料进入球磨机或锤式破碎机进行精细加工， 最 后经过振动筛筛分出最终产品。 有磁性物要求 2022年1月13日 我们认为行业应避免产能无序扩张。 碳化硅材料企业盈利能力及估值展望： 我们认为SiC衬底供应商的整体良品率与每个单晶炉年产量是体现公司 中金 碳化硅材料：乘碳中和之东风，国内厂商奋起直追新浪
碳化硅是什么材料？ 知乎
2023年3月21日 高性能：第三代半导体材料（如碳化硅SiC）具有优异的电子特性，包括高电子迁移率和高电流密度，使得它们能够实现更高的工作频率和更高的功率密度。这使得在高性能应用中，如高速通信、高效能电源管理和人工智慧处理等方面更具竞争力。低功耗：第三代半导体技术通常具有较低的功耗，这 2023年4月17日 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱 和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高 频率的需求，主要被用于制 碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 腾讯网
复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的研究进展烧结
2021年8月18日 凝胶注模成型结合反应烧结工艺可以实现复杂结构碳化硅陶瓷的制备。 采用该工艺制备复杂结构碳化硅陶瓷的关键是凝胶注模用浆料性能的调控。 分散剂种类及添加量对浆料性能调控至关重要。 在制备浆料时，添加分散剂可以改变碳化硅颗粒表面的电荷分 2022年8月29日 碳化硅透光率 很高，激光切并不合适，而且激光切割设备相当昂贵，当然离子注入法剥离也不简单，现阶段最现实的还是线切。切割良率就真正考验各家水准了，同样3cm晶锭厚度，最终得片率是30片还是33片还是35片？每多一片都是利润 关于碳化硅，把我知道的都告诉你金刚石肖特网易订阅
碳化硅（SIC）的长处和难点详解； 知乎
2023年10月30日 碳化硅长晶环节主要存在三点难点：（1）对温度和压力的控制要求高，其生长温度在2300℃以上；（2）长晶速度慢，7天的时间大约可生长2cm碳化硅晶棒；（3）晶型要求高、良率低，碳化硅具备200多种晶型，只有少数几种晶体结构才可作为半导体材料。 石英砂（quartz sand）是石英石经破碎加工而成的石英颗粒。石英石是一种非金属矿物质，是一种坚硬、耐磨、化学性能稳定的硅酸盐矿物。石英砂的颜色为乳白色、或无色半透明状，莫氏硬度7。石英砂是重要的工业矿物原料，非化学危险品，广泛用于玻璃、铸造、陶瓷及防火材料、冶炼硅铁、冶金 石英砂百度百科
碳化硅籽晶粘接装置[发明专利]百度文库
2013年11月26日 [0024] 实施结果 ：晶体与晶片的破碎率降低 10%，能够实现本发明的目的。 [0025] 第二种具体实施方式提供的碳化硅籽晶粘接装置与上述种具体实施方式基 本相同，不同之处在于籽晶粘接板（2）厚度等于 1mm，实施结果 ：晶体与晶片的破碎率降低 30%，能够实现本发明的目的。2022年9月8日 目前，碳化硅单晶的生长一般采用PVT法工艺。由于碳化硅单晶生长的最终目的是为了获取大尺寸、低缺陷的碳化硅单晶，随着碳化硅单晶的尺寸增大，对单晶炉内的真空压力控制要求极高，工艺气体的压力变化对SiC晶体的生长速度和晶体质量产生极大影响。PVT法碳化硅SIC晶体生长工艺中真空压力控制装置的国产化
马斯克“弃用”碳化硅，国产替代中道崩殂？ 知乎
2023年5月22日 但是碳化硅又硬又脆，硬碰硬容易破碎，就不能着急，慢慢切。即便是这样，过程中也会有“震荡损耗”。综合下来，碳化硅衬底片工艺的良率只有50% 左右，这在大工业生产中是非常低的一个水平 2019年10月9日 例如碳化硅，氮化镓（GaN）。 目前半导体材料已经发展到第三代。相比于二代，具有高热导率、高击穿场强等优点，应用前景广泛，能够降低50%以上的能量损失，较大可使装备体积缩小75% 以上。作为第三代半导体材料中的重要一员，碳化硅 半导体届“小红人”——碳化硅 知乎
第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 知乎
2021年8月16日 除此之外，碳化硅基功率器件在开关频率、散热能力、损耗等指标上也远好于硅基器件。碳化硅材料具有更高的饱和电子迁移速度、更高的热导率、更低的导通阻抗。1、阻抗更低，可以缩小产品体积，提高转换效率；2、频率更高，碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10 倍，而且效率不随着频率的 2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制 三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 知乎
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产
2022年3月22日 相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁 带宽度是硅的 3 倍；导热率为硅的 45 倍 特定晶型和颗粒度的碳化硅颗粒。再经过破碎 、筛分 2023年6月21日 碳化硅陶瓷具有高温稳定性、耐腐蚀性和高强度等优异性能，常用于制造高温熔融、酸碱等恶劣环境下的零部件和 结构件 。 其主要制作工艺包括以下几种： 1热压成型 将预制的 碳化硅陶瓷粉末 在高温、高压的条件下进行热压成型，形成具有一定形状的陶瓷 碳化硅陶瓷性能如何?有哪些制作工艺? 知乎
国内碳化硅产业链！电子工程专辑
2020年12月25日 N型碳化硅外延生长技术有待进一步提高。目前外延材料生长过程中气流和温度控制等技术仍不完美，在6英寸碳化硅单晶衬底上生长高均匀性的外延材料技术仍有一定挑战，一定程度影响了中低压碳化硅芯片良率的提高。 P型碳化硅外延技术仍不成熟。2022年4月22日 碳化硅SiC材料特性 碳化硅SiC是由硅和碳组成的化合物半导体材料，在热、化学、机械方面都非常稳定。 C原子和Si原子不同的结合方式使SiC拥有多种晶格结构，如4H,6H,3C等等。 4HSiC因为其较高的载流子迁移率，能够提供较高的电流密度。 SiC器件相对于Si器件的 案例分享第四期：碳化硅SiC切割 知乎
碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速
2023年4月26日 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速国产化 1 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能 11 半导体材料更迭四代，宽禁带材料突破瓶颈 在高性能和低能耗半导体器件驱动下，半导体材料经历四次更迭。 半导 体材料是制造半导体 2021年1月21日 其中碳化硅作为先进陶瓷中的一种材料， 莫氏硬度 为95级，仅次于世界上最硬的 金刚石 （10级），具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。 一文了解碳化硅陶瓷相关特性与应用领域 作为电子封装材料的一部分， 陶瓷基板 还满足以下性能要 碳化硅基板是陶瓷的是不是容易碎啊？ 知乎
碳化硅外延工艺流程合集百度文库
破碎：把碳化硅砂破碎为微粉，国内目前采用两种方法，一种是间歇的湿式 球磨机破碎，一种是用气流粉末磨粉机破碎。我公司已由气流粉末磨碎机代替湿 式球磨机破碎。 湿式球磨机破碎时用是用湿式球磨机将碳化硅砂磨成微粉原料，每次需磨 68 小时。2020年7月10日 具体过程操作如下：(1)取碳化硅原料，冲击式破碎机中碎，并筛分至不大于10mm碳化硅颗粒，并对其进行整形，检查是否合格，重复粉碎，整形；(2)将上述干燥后的碳化硅颗粒用微粉磨粉机粉碎成d50＝169635μ然后用高精涡轮分级机对碳化硅粉进行筛松年产3000吨碳化硅微粉的生产线的可行性研究报告——课程
碳化硅加工生产设备河南破碎机生产厂家
2016年7月28日 随着经济的快速发展，碳化硅的用量在逐年增加，为了使碳化硅资源得到更加合理的应用，红星机器采用破碎和磨粉设备进行碳化硅的加工作业，破碎磨粉后的碳化硅扩大了应用范围，提高了资源的利用率，解决了目前碳化硅用量紧缺的问题，本文我们就对碳化硅加工用到的破碎和磨粉两类设备展开 2022年4月25日 碳化硅（SiC）存在很强的共价键与很高的SiC键能，具备高模量值、高硬度和高比强度的特性，在高温下仍具有高强度的键合，这种结构特点赋予了碳化硅陶瓷优异的强度、高硬度、耐磨损、耐腐蚀、高 碳化硅、碳化硼——“防弹双星” 知乎
预见2022：《2022年中国碳化硅行业全景图谱》(附市场规模
2022年7月17日 半绝缘型碳化硅衬底指电阻率高于105Ωcm的碳化硅衬底，其主要用于制造氮化镓微波射频器件。微波射频器件是无线通讯领域的基础性零部件，中国大力发展5G技术推动碳化硅衬底需求释放。导电型碳化硅衬底指电阻率在15~30mΩcm的碳化硅衬底。2023年3月31日 碳化硅上游 衬底 碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，长晶难度大，技术壁垒高，毛利率可达50%左右。经过外延生长、器件制造等环节，可制成碳化 【科普】一文带你了解碳化硅的产业链结构及应用领域
SiC晶圆争夺战开打 知乎
2020年12月18日 国际大厂起步早，还不断加速在SiC领域的布局，一方面将推动碳化硅材料的市场渗透率加速，另一方面也加速抢占碳化硅晶片市场份额。 对此，我国迫切需要加快发展步伐，但国内本土SiC厂家与国外同行相比，虽然仍有一定差距，但还是很有希望可以迎头赶上，追赶的过程还是有盼头的。2022年10月9日 随着全球碳化硅衬底产能不断增长， 供给不断增加，我们假设碳化硅器件价格保持年降 10%的速度，新能源汽车主驱 逆变器中碳化硅模块的渗透率保持每年 5ppts 的增速，则我们测算 2026 年全球 新能源汽车主驱逆变器中 SiC 器件市场规模约为 44 亿美元。碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领行业变革
关于碳化硅，不可不知的10件事！ CSDN博客
2022年10月15日 碳化硅SiC MOSFE Vd‐Id 特性 SiC‐MOSFET 与IGBT 不同，不存在开启电压，所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。而Si‐MOSFET 在150℃时导通电阻上升为室温条件下的2 倍以上，与Si‐MOSFET 不同，SiC‐MOSFET的上升率比较低，因此易于热设计，且高温下的导通电阻也很低。2023年1月2日 根据电阻率的不同，碳化硅衬底可以分为半绝缘型和导电型衬底，分别适用于不同的应用场景： 导电型衬底：主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化 硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类 碳化硅 SiC 知乎
硅渣 知乎
2022年6月30日 一种工业硅渣中单质硅含量的定量分析方法，具体步骤如下： (1)将工业硅渣破碎研磨成粒度为100300目的硅渣粉末，称量硅渣粉末质量m1；(2)在硅渣粉末中加入过量的盐酸进行酸浸以完全硅酸盐得到含硅酸的酸浸液和含单质硅和碳化硅的固体颗粒，含单质硅和碳化硅的固体颗粒真空干燥，称量含单质 2022年3月2日 3) 光伏逆变器碳化硅 MOS 器件市场空间：假设碳化硅渗透率从 10%提升至 50%，碳 化硅 MOS 性价比持续提升、成本逐年下降（目前在平均 4 倍左右）。 4) 碳化硅衬底市场空间：随着衬底成本持续优化，假设在器件中成本占比逐年下 降。碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
碳化硅加工工艺流程 豆丁网
2021年12月23日 六、我厂碳化硅加工局部产品加工工艺流程比拟分析 1、典型01mm产品：首先,原料由颗式破碎机进行初步破碎,然后,产成的粗料由皮带输送 机输送至对辊破碎机进行进一步破碎,细碎后的原料进入球磨机或锤式破碎机进行精细加工,最 后经过振动筛筛分出最终 2022年8月15日 切磨抛加工能力。由于 SiC 材料硬度大，所以在切磨抛中容易破碎，造 成良率损失或者更长的加工时间。衬底良率一般体现单个半导体级晶棒 经切片加工后产出合格衬底的占比。天岳先进 2020年衬底良率在 70%， 反映晶棒到衬底环节仍有一定损失。碳化硅行业研究：SiC成本逐步下降，行业有望迎来爆发拐点
碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关
2023年10月27日 碳化硅生长速度缓慢，良率 与国外龙头存在较大差距。碳化硅晶体结构类型众多，但仅少数几种晶体结构的碳化硅为衬底所需材料，杂质控制难度高。在晶体生长过程中，需精确控制硅碳比、生长温度梯度、晶体生长速度以及气流气压等参数 半绝缘型碳化硅衬底的电阻率高于 105Ωcm，生 成氮化镓外延片制成射频器件之后应用于 5G 通讯、国防等领域。 海外厂商在碳化硅功率器件领域市占率较高。受下游新能源汽车和光伏 等领域的需求拉动，碳化硅功率器件的市场将迅速拓展。碳化硅衬底切割行业分析报告：8英寸碳化硅衬底的历史机遇
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎
2019年9月5日 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有11eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。 第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓拥有14电子伏特的禁带宽度以及比硅高五倍的电子 2023年1月17日 碳化硅晶片是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT） 生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片。 ①原料合成。 将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，在 2,000℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒。 再经过破碎、清洗等工 【SiC 碳化硅加工工艺流程】 知乎
揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
2021年11月7日 智东西 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。 受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等 1碳化硅加工工艺流程 1、典型 01mm 产品： 首先，原料由 颚式破 碎机进行初步破碎，然后，产成的粗料由皮带输送 机输送至 对辊破 碎机进行进一步破碎，细碎后的原料进入球磨机或锤式破碎机进行精细加工， 最 后经过振动筛筛分出最终产品。 有磁性物要求 1碳化硅加工工艺流程 百度文库
中金 碳化硅材料：乘碳中和之东风，国内厂商奋起直追新浪
2022年1月13日 我们认为行业应避免产能无序扩张。 碳化硅材料企业盈利能力及估值展望： 我们认为SiC衬底供应商的整体良品率与每个单晶炉年产量是体现公司 2023年3月21日 高性能：第三代半导体材料（如碳化硅SiC）具有优异的电子特性，包括高电子迁移率和高电流密度，使得它们能够实现更高的工作频率和更高的功率密度。这使得在高性能应用中，如高速通信、高效能电源管理和人工智慧处理等方面更具竞争力。低功耗：第三代半导体技术通常具有较低的功耗，这 碳化硅是什么材料？ 知乎
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